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美國賓夕法尼亞州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)利用碳摻雜可改變2D半導(dǎo)體材料性質(zhì)

發(fā)布日期:2019-05-29??來源:航空工業(yè)信息網(wǎng)我要投稿我要評論

【據(jù)美國賓夕法尼亞州立大學(xué)網(wǎng)站2019年5月28日報(bào)道】美國賓夕法尼亞州立大學(xué)的科研人員發(fā)現(xiàn),可通過摻雜碳?xì)?CH)分子來顯著改變單層原子厚度的半導(dǎo)體材料二硫化鎢(WS2)的電學(xué)性質(zhì),并通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)。在摻雜前,WS2表現(xiàn)為單極N型傳導(dǎo),隨著碳摻雜水平的增加,CH-WS2單層開始出現(xiàn)P型分支,最終可完全轉(zhuǎn)換為P型。通過控制碳摻雜水平,可以在WS2中生成N+/P/N+和P+/N/P+結(jié)。當(dāng)前有關(guān)2D材料摻雜的論文不多,因?yàn)檫@個過程涉及很多復(fù)雜條件和過程。PSU團(tuán)隊(duì)的技巧是,使用等離子體輔助將甲烷的裂解溫度降低到400攝氏度。該研究得到了美國能源部科學(xué)辦公室基礎(chǔ)能源科學(xué)計(jì)劃的支持,相關(guān)論文《Carbon doping of WS2 monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport》已在Science Advances上發(fā)表。

 	 美國賓夕法尼亞州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)利用碳摻雜可改變2D半導(dǎo)體材料性質(zhì)

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